金融界 2024 年 11 月 15 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“SRAM 单元以及存储器”的专利，公开号 CN 118946136 A，申请日期为 2023 年 5 月。

专利摘要显示，一种 SRAM 单元以及存储器，SRAM 单元包括：所述栅极结构露出的有源区用于形成源漏区，且所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏区用于构成 MOS 晶体管；在所述第一下拉区中，所述第一栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区，且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构远离彼此一侧的源漏区之间电连接；在所述第二下拉利博登陆区中，所述第栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构远离彼此一侧的源漏区之间电连接。本发明实施例提升了 SRAM 单元的性能。